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  7 月 3 日消息,据国外媒体报道,昨日出现了三星修改芯片工艺路线图,跳过 4nm 工艺,由 5nm 直接提升到 3nm 的消息。

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  台积电近几年在芯片工艺方面走在行业前列,他们的 7nm 和 5nm 工艺都是率先量产,也获得了大量的芯片代工订单,从 2016 年起,更是连续为苹果独家代工 A 系列处理器。

  三星曾经也是苹果 A 系列处理器的代工商,但在 2015 年为苹果代工 iPhone 6s 系列的 A9 处理器时,三星 14nm 工艺所生产的处理器,在能耗方面还高于台积电 16nm 工艺所生产的 A9 处理器,三星此后就一直未能获得苹果 A 系列处理器的代工订单,在芯片工艺方面也一直略落后于台积电,台积电也凭着先进的工艺获得了大量的芯片代工订单。

  不过,三星通过跳过 4nm 工艺、直接由 5nm 提升到 3nm 的方式,能否在芯片工艺方面击败台积电现在还很难说,台积电也有研发 3nm 工艺,在多年前就已开始谋划。

  台积电的 3nm 工艺,在公司创始人张忠谋退休前就已开始谋划,在他退休前 8 个月的一次采访中,就谈到 3nm 工厂,当时他透露采用 3nm 工艺的芯片制造工厂计划在 2022 年建成,保守估计建成时可能会花费 150 亿美元,最终可能会达到 200 亿美元。

  在今年 4 月 16 日的一季度财报分析师电话会议上,台积电副董事长兼 CEO 魏哲家也曾谈到 3nm 工艺,他表示 3nm 工艺的研发正在按计划推进,计划 2021 年风险试产,他们的目标是在 2022 年下半年大规模量产。

第八章、测试技术指标1.等时性误差:就是24 小时日差和满弦日差,位置最差数.(符号是I)也就是随发条的松紧程度不同的时误差.2.位置误差:也叫位差.是位置不同,发生的误差(符号P)3.温度误差:也叫温度系数,(符号C)等温度为36 度和20 度时,之瞬时日差被(36‐20)除以差数,所得数值为温度系数,即温度每变化一度手表的误差变化.4.综合指标(符号N) 为:走时的8 大指标:5.延续走时6.落差(满弦和24 小时后摆幅)平立差(满弦平面和立面摆幅差)8.面上日观察.防震测试: 负0.1‐‐1KG,1M 高度,两位置自由落体,水泥地.测摆幅的土方法:拿个改锥放到那里,看摆轮臂端到改锥的距离.第九章、镀金表壳常识镀金表壳是在半钢壳上框镀了一层金或金合金,镀金层通常在2‐20μm之间。

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