1 月 19 日消息，根据外媒 VideoCardz 消息，SK 海力士在一份文件中透露，将在 ISSCC 2022(IEEE 国际固态电路大会)发布两款全新的 DRAM 芯片，其中包含 12 层堆叠的 HBM3 高速内存，以及速度更块的 GDDR6 芯片。
SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存，速度达到了 820GB/s，而新产品的速度将进一步提升，达到 896 GB/s。
SK 海力士这款 HBM3 内存芯片采用 TSV 硅通孔工艺制造，单颗最大容量可达 24GB。目前这类产品在服务器 CPU 中有应用，与处理器核心紧密封装在一起，实现高速率。海力士还表示，这款芯片使用了自动校准和机器学习优化技术。目前，还不知道该产品是否会很快量产。
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ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办，届时 SK 海力士的高管将介绍更详细的内容。
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